高功率低损耗脉冲偏置T恤

高功率低损耗脉冲偏置T恤

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偏置TEE是被动RF电路,其为正在测试的有源器件提供直流偏置。通常由电容器和电感器组成,通过将低频(DC)和高频(RF)信号组合到公共端口(RF + DC)中,偏置TES作为双工器。在经典电容器/电感器设计中,电容器用作直流块并防止DC偏置进入RF路径,而电感器充当RF扼流圈,防止RF能量进入DC仪器。

典型应用包括为复杂系统内的放大器提供偏差,包括基站和无线电;在测试和测量应用中偏置离散晶体管或封装设备,例如DC /脉冲偏置S参数,DC / PULSED-IV,DC /脉冲偏置载荷,稳定性,鲁棒性,烧坏,预先生产和生产测试。

偏置TEE的重要特征包括偏置TEE在偏置T恤的可用频率范围内最小的频率范围,偏置TEE将在最小的情况下运行,以便在没有性能下降,插入丢失和VSWR(或返回损耗)。电压,电流和RF功率在平均/ DC / CW和脉冲/峰值操作中都是至关重要的。在脉冲偏置/脉冲RF条件下具有最小的信号的偏压也必须具有最小的信号。

偏置TEE的MBT系列是基于Maury的专利宽带电容器(美国专利9,614,267),它同时使行业最广泛的带宽,最低的插入损耗以及高达18 GHz的同轴偏置TEE中的最低回报损耗。此外,其独特的设计使其成为脉冲应用的理想选择,包括脉冲IV和脉冲负载拉动表征,而不会扭曲电压和电流波形。偏见T恤
美国专利No.9,614,267

特征

  • 高射频功率处理
  • 高击穿电压
  • 高电流处理
  • 低插入损耗
  • 出色的回报损失
  • 脉冲能力

应用

  • 大功率系统偏压
  • 大功率基站集成
  • 测试和测量(负载拉动,脉冲测量,一般实验室......)

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应用说明和数据表

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